端,还是靠近MOS端?(注意,图中的L1是走线寄生电感,并不是这里放了个
这位兄弟说大部分工程师和IC原厂都是这么做的,但是没有说为什么,我当时也不清楚。但是这样的一个问题确实是个好问题,现实中的确存在。 任何一个问题都是提升技术的机会,所以,我记了下来,然后花时间看了看。 在这之前,为了让所有兄弟都能跟上节奏,那必须先得搞清楚这个串联的电阻是干什么用的。 简单说,这个串联的电阻就是抑制振荡用的,具体怎么回事,我以前专门写过文章,不知道的可以去瞅瞅——“LC串联谐振的意义-MOS管栅极电阻” 真实情况如何 首先,这位兄弟说大部分都是放靠近MOS端。关于这一点,我先去求证了下,看真实的情况是否真是如此? 一般这种驱动MOS的电路,开关电源电机驱动居多,因此,我就去找了这两类IC的厂商,去看看它们的demo板是怎么Layout的。 1、TIDRV8300的demo板 Demo板硬件设计可以直接在Ti官网下载,如下图,能够正常的看到,串联电阻是放置在MOS管端的。
3、MPS的无刷电机驱动芯片MP6535。 如下图,6个MOS的栅极串联电阻R18,R19,R20,R21,R22,R23放置在中间。 从走线串联的电阻离MOS较近,离驱动IC较远。Q4,Q5,Q6串联的电阻在MOS和驱动IC中间。
就上面3个例子来说,兄弟说的“大部分情况栅极串联电阻靠近MOS管放置”确实是属实的。 那我聊天记录里面说的“放源端比较好,就像高速信号的阻抗匹配放源端”,这一点又是考虑了什么呢? 要不要考虑阻抗匹配 考虑到阻抗匹配,那就是将信号看作是高速信号,那么到底栅极驱动信号是不是高速信号呢? 一般来说,高速信号的认定规则是这样的:信号的上升沿小于6倍的传输延时。那我们大致算一下就了解是否是高速信号了。 PCB上信号传输速度为6inch/ns,也就是0.1524m/ns 以DRV8300为例子,可以从手册中看到栅极驱动信号波形,如下图的GHA就是:
上升沿大概是400ns,如果要将其看成是高速信号,那么需要满足公式: 400ns10.16m 显然,我们的栅极走线m,所以栅极走线不用看成是高速信号线,也就说不用考虑阻抗匹配的问题,用集总参数模型分析即可。 正常的情况下,我们的栅极走线cm。那么当走线cm时,如果要将其看成是高速信号,那么对应的Tr
其实从上面两个模型看来, 对于MOS栅极来说,它们收到的信号没有一点的差别。 为什么这么说呢?因为电感和电阻始终是串联的,如果把它们看成一个整体,阻抗就是R+jwL,对于整个电路来说完全是相同的,等效为下面这个:
所以,我不觉得串联电阻靠近MOS放置有什么特别的作用。 小结 以上就是,我目前对于MOS管栅极串联电阻放在哪儿的看法。 我觉得放在哪里无所谓,靠近MOS,靠近驱动IC都行,放中间也行,重要的总的走线长度要短(这一点在很多手册中都有提到,主要为降低走线寄生电感)。 当然了,非常有可能有其它我还没考虑到的因素,所以我觉得放哪儿都行是不对的。 欢迎兄弟们在我的交流群探讨这样的一个问题,集众人之力,将这样的一个问题搞清楚。
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在一周前看到在公众号“电机控制设计加油站”的一篇推文,“Why 100Ω? 较真的教授发现简单结论背后不简单的问题”,对MOSFET管
R6,PWM经过R6后,波形失线是怎么样影响到后级波形,图中灰色的代表PWM输出,黄色代表经过R6后的
并联多了容易引起走线很长,分布电感电容加大,对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明
的作用 /
管导通速度过慢,即Rds的减小要经过一段时间,高压时Rds会消耗大量功率,导致
原理分析 /
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